SJ 20437-1994 红外探测器用碲锡铅晶片规范
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ID： |
467D2038B926472DBB131621EC5298BA |
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0.43 |
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5 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和电子行业军用标准,FL 5971 SJ 20437-94,红外探测器用瑞锡铅晶片规范,i,Specification for lead tin telluride,slice for use in infrared detector,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,红外探测器用啸锡铅晶片规范SJ 20437—94,Specification for lead tin telluride dlice,for use in infrared deteetor,9,1 范,主题内容,本规范规定了红外探测器用蹄锡铅（Pbi*SnxTe）单晶片（以下简称“单晶片門的技术要,求、检验方法和交验规则,以及包装运输要求,1.2适用范I丒 ロ,本规范适用于红外探测器用硫锡铅外延膜生长用衬底单晶片的鉴定、交验的评定和验收,1丒3分类,产品型号按GB 11296《红外探测材料命名方法》规定,在第四部分分隔号后注明破锡铅单,晶片的组分配比（X值）即PST—0.21,2引用文件,GB 11296—89,GJB 179—86,红外探测材料型号命名方法,计数抽样检査程序及表,SJ 20438—94,ZBN 30003,红外探测器用硫锡铅晶片测试方法,光学零件包装,3要求,3.I合格鉴定,按本规范提交的产品应是经鉴定检验合格的产品,3-2性能特性,3.2.1单晶片的外形尺寸和外观质量要求,a.单晶片的厚度￡{1.5mm,面积s>10mmX 15mm；,b.单晶片表面应色泽均匀,无低角晶界和肉眼可见的裂纹,3.2-2单晶片的晶面为（100）面,定向精度&1ゝ,3. 2- 3单晶片的组分为x=o" 210士〇, 010,3.2.4 单晶片（100）晶面的位错腐蚀密度EPD48X 1〇5/cm2o,-3.2.5 单晶片的导电类型为尸型,载流子浓度P&2X 10ツcm?,霍尔迁移率Ah>2X 103cm2/V . so,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,WWW,SJ 20437—94,4质?保证规定,4.I检验责任,除合同或订货文件中另有规定外,所有提交的破锡铅单晶片都必须由承制方按本规范规,定的项目完成所有项目的检验,并由质量检验部门提供产品合格证。订货方或上级鉴定机构有,权对本规范所要求的任何ー项检验项目进行抽验,4.1.1合格责任,所提交的单晶片除应符合本规范第三章与第五章的所有要求外,承制方还应负责合同中,包括而未列入本规范的检验要求和项目,并保证提交的验收产品符合合同的要求。质量一致性,抽样不允许提交明知有缺陷的产品,也不能要求订购方按受有缺陷的产品,4.2 检验分类,本规范规定的检验分为：,a.鉴定检验;,b.质量一致性检验,4.3 检验条件,产品质量检验应有承制方的质量检验部门负责进行,在一般正常大气条件下,按检验项目,的顺序和要求进行,检验后由承制方质量检验部门提出质量检验报告,4.4 鉴定检验规则,a.鉴定检验在单晶片新品投产时进行。当关键材料或エ艺变动时,也应进行鉴定检验,b,鉴定检验的样品应从被鉴定的单晶片产品中随机抽取,C,鉴定检验的项目,样品数及允许不合格品数,详见表1所示,表1鉴定检验,检验项目,技术要求,章条号,1检验方法,章条号,样品数,允许不合格,品数,样品尺寸及外观3. 2- 2. 1 4. 4.1,单晶片定向3* 2* 2* 2 4. 4.2,单晶片组分3* 2* 2* 3 4丒 4.3,位错腐蚀坑密度3. 2. 2.4 4. 4.4 5 0,电学参数3* 2* 2* 5 4. 4.5,.,包装、装箱5.1,4. 6丒6,及包装标志5. 2.3,d.鉴定合格资格通过质量一致性检验来维持。根据需要,应由制造厂每年一次向上级鉴定,机构提交质量一致检验记录的副本.,e丒不合格判定.,不合格数超过表1中给出的允许不合格数,则鉴定检验为不合格,4.5 质量一致性检验规则,a.检验批的组成,ー个检验批应是由相同工艺控制的晡锡铅单晶,按衬底单晶片的晶面和尺寸切割的单晶,Sj 20437—~94,片。一般以20片为ー批,b.质量一致性检验的抽样按照GJB 179的一般检査水平I,使用一次抽样方案,c.质量一致性检验的项目及可接收质量水平AQL值详见表2所示：,表2质量一致性检验,检验项目,技术要求,章条号,检验方法,章条号,AQL,样品尺寸及外观3. 2. 2* 1 4.4.1,单晶片定向3* 2?2* 2 4. 4.2,单晶片组分3* 2?2* 3 4. 4.3 2.5,位错腐蚀坑密度3. 2. 2. 4 4. 4.4,电学参数3. 2?2. 5 *￡5,d.不合格判定,产品未通过质量一致性检验,应立即停止产品的验收和交付、在经过分析原因,采取措施,后允许重新对不合格项目进行检验。若检验仍不合格,该批单晶片为不合格,不得交付,4.6 检验方法,4.6.1 外形尺寸与外观质量检验,使用精度0. 01mm千分尺或卡尺检验晶片的外形尺寸,测角仪测量端面垂直角度,允许,偏差。?5。;,外观质量检査:肉眼观察单晶片表面色泽均匀,无低角晶界和裂纹。应符合本规范3.2门,条之规定,4.6.2 单晶片定向及精度检测,按SJ 20438的方法101进行测定,其测量结果应符合本规他3.2. 2条之规定,4.6.3 单晶片组分X值的测定,按SJ 20438的方法20I进行测定,其测量结果应符合本规范3. 2. 3条之规定,4.6.4 单晶片位腐蚀抗密度的测定,按SJ 2043……
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